РАСПАШНЫЕ АВТОМАТИЧЕСКИЕ ВОРОТА

   На просторах Интернета есть интересные разработки управления распашными воротами. Предлагаю на суд ещё одну разработку, Soir программное обеспечение + консультативная поддержка. Александрович — монтаж, настройка, доводка. Как показали испытания работает устройство великолепно. Основа конструкции — микроконтроллер ATmega8. Автоматические распашные ворота — принципиальная схема (клик для увеличения):

   Устройство позволяет управлять воротами непосредственно с кнопок панели блока автоматики (или выносного пульта) или, подключив модули радиоуправления, управлять дистанционно. Управление производится тремя кнопками: открыть – стоп – закрыть. Кнопка стоп позволяет остановить движение ворот в любом положении. Как только ворота начали открываться – включается освещение, освещение будет гореть до тех пор пока ворота не закроются. На панель управления выведены светодиоды для индикации положения концевых выключателей. Светодиод горит, когда контакты концевого выключателя замкнуты (створка ворот находится в крайнем положении). На ЖКИ отображается работа концевых выключателей, а в меню настроек можно задать временные интервалы работы механизма управления воротами. Для дистанционного управления воротами применил готовый модуль передатчика-приемника 433 МГц. В качестве резервного питания используется аккумулятор. Схема резервного питания с подзарядкой аккумулятора собрана на L200+LM358, работает отлично.

   Проект на этом не закрывается, свободные ножки 24-27 контроллера планируется на доработку, установка электрозамка, токовая защита, бесперебойное питание 12-36 вольт. Но это уже в дальнейших материалах. Скачать прошивки и печатные платы контроллера автоматики можно в одном архиве.

     1. Описание работы автоматических ворот

 1.1. При нажатии кнопки OPEN происходит открытие створок ворот. После того, как сработает конечный выключатель открытия, актуатор работает еще 2 секунды, затем останавливается.

На дисплее отображается положение каждой створки. Положение определяется по заданному времени работы актуатора, которое устанавливается в настройках для каждой створки. Если за заданное время конечный выключатель не сработал, то на индикаторе мигает указатель положения соответствующей створки. Так как система управления разрабатывалась для распашных ворот, то имеет значение очередность открытия/закрытия створок. Левая створка начинает открываться сразу же после нажатия кнопки. Правая створка через время задержки, устанавливаемое в настройках. Таймер задержки начинает отсчет после того, как разомкнутся контакты конечного выключателя открытия левой створки.

 

 1.2. При нажатии кнопки CLOSE обе створки начинают закрываться сразу, но после того, как левая створка займет положение заданное параметром «Ожидание» левый актуатор останавливается и ждет пока не сработает конечный выключатель закрытия правой створки. Когда сработает конечный выключатель закрытия правой створки и створка дозакроется в течении 2 сек, левая створка продолжит закрытие (до срабатывания конечного выключателя + 2 сек на дозакрытие).

 

 

 

 1.3. Кнопкой STOP можно приостановить работу актуаторов. Возобновляется работа нажатием на OPEN/CLOSE.

 1.4. Во время открытия/закрытия на дисплей выводится условное обозначение положения створок и оставшееся время.

 1.5. Воротами можно управлять одной кнопкой RC (Remote Control). В зависимости от состояния конечных выключателей, кнопка открывает ворота, если оба конечных выключателя закрытия замкнуты. Закрывает, если оба конечных выключателя открытия замкнуты. Останавливает движение, а повторным нажатием возобновляет движение в первоначальном направлении.

 1.6. Если хотя бы один из конечных выключатель закрытия створок разомкнут, включается свет. Отключатся свет после срабатывания обоих концевых выключателей закрытия.

     2. Настройка блока управления воротами

 2.1. Нажатие на кнопку SET переводит устройство в режим настроек. Сначала задается время движения левой створки, затем правой, затем время задержки, а затем время ожидания левой створки при закрытии. Переключение между режимами – повторное нажатие на SET. Время движения используется только для визуализации процесса управления воротами. 

 

 2.2. Установка производится – кнопками PLUS и MINUS. Пределы установок – 0-99 сек. Для времени ожидания левой створки от 0 до времени движения левой створки.

 

 

 2.3. Через 10 секунд от последнего нажатия на кнопки новые значения настроек запишутся в энергонезависимую память, а устройство выйдет из режима установки.

 

 

   Видеоролик, наглядно показывающий процесс работы самодельных автоматических ворот, смотрите ниже:

 

   А вообще, материалом для столбов ворот, кроме кирпичной кладки, может служить швеллер, стальная труба, крепкий деревянный брус или готовый бетонный столб. Самое главное при установке столбов — подготовка фундамента. Фундамент должен быть глубиной не менее метра, иначе ваш столб после может наклонится, сдвинуться. Авторы проекта: Александрович и Soir.

   Форум по устройствам автоматики

 

   Форум по обсуждению материала РАСПАШНЫЕ АВТОМАТИЧЕСКИЕ ВОРОТА

Комплектующие на откатные ворота для самостоятельного изготовления Откатные ворота Ограждающие системы ООО «Марди»

Схема откатных самонесущих ворот

Схема откатных самонесущих ворот, открывание: влево

a) Технологические отступы и основные размеры створки;

a) Размер от столба проема до плоскости створки откатных ворот при использовании кронштейна, SGN. 01.717; SGN.02.717; SGN.01.718; SGN.02.718; 

b) Размер от столба проема до плоскости створки откатных ворот при использовании кронштейна SGN.01.719; SGN.01.719; 

• Размер а необходим для полного скрытия улавливателей за столб проема.

• Размер b необходим для полного скрытия створки ворот за столб проема в открытом состоянии.

• Размеры 50 мм и 44 мм — минимальны размеры от столба проема до плоскости створки ворот. Lш=А+а+b+(A/3-300)+c.

• Значение технологических отступов для разных серий приведены в таблице.

• Выбор опоры роликовой в зависимости от массы створки.

 

Совет от нашей компании! Для определения правильности вашего выбора, вы можете связаться с нами напрямую, и узнать бесплатно любую интересующую вас информацию. Связаться с нами.

 

Комплектация SGN

Комплектация SGN включает в себя такие запчасти:

1. Опоры роликовые – 2 шт.
2. Опорный ролик.
3. Направляющая шина.
4. Нижний и верхний улавливатель.
5. Поддерживающие ролики – 2 шт.
6. Кронштейн для роликов.
7. Заглушка.

Для ворот, вес которых составляет 450 килограмм, используется SGN.01 комплектация. Для установок весом до 700 килограмм применяется SGN.02 комплектация.

Роликовые опоры

Опора роликовая SGN.01.150 со стальными роликами предназначена для перемещения створки самонесущих откатных ворот. Используется для изготовления откатных ворот на шине SG.01.x. Для регулировки опоры по высоте рекомендуется применять болты М12х50 DIN933 оцинкованные. 

 

Опора роликовая SGN.02.150 со стальными роликами предназначена для перемещения створки самонесущих откатных ворот. Используется для изготовления откатных ворот на шине SG.02.x. Для регулировки опоры по высоте рекомендуется применять болты М16х50 DIN933 оцинкованные.

 

Направляющая шина

 

Ролик опорный

 

Ролик опорный SGN.02.300 предназначен для снижения нагрузки на шину в закрытом положении откатных ворот и для предотвращения схода шины с опор роликовых. Устанавливается в передней (при необходимости и в задней) части шины откатных ворот. Используется для изготовления ворот на шине SG.02.x

 

Ролик опорный SGN.01.300 предназначен для снижения нагрузки на шину в закрытом положении откатных ворот и для предотвращения схода шины с опор роликовых. Устанавливается в передней (при необходимости и в задней) части шины откатных ворот. Используется для изготовления ворот на шине SG.01.x

 

Улавливатель нижний

 

Улавливатель нижний SGN.01.4.20 предназначен для улавливания створки откатных ворот и исключения их перемещения в закрытом положении при воздействии ветровой нагрузки. Снижает нагрузку на шину в закрытом положении откатных ворот. Устанавливается на кронштейн FLGU.400.0904 или столб-притвор. Используется дли изготовления откатных ворот на шине SG.01.x. Для крепления рекомендуется применять болты М10х30 DIN933, шайбы D10 DIN125, D10 DIN127, гайки D10 DIN934. Фиксируется улавливатель при помощи винта самонарезающегося М8х25.

 

Улавливатель нижний SGN.02.4.20 предназначен для улавливания створки откатных ворот и исключения их перемещения в закрытом положении при воздействии ветровой нагрузки. Снижает нагрузку на шину в закрытом положении откатных ворот. Устанавливается на кронштейн FLGU.400.0904 или столб-притвор. Используется дли изготовления ворот на шине SG.02.x. Для крепления рекомендуется применять болты М10х30 DIN933, шайбы D10 DIN125, D10 DIN127, гайки D10 DIN934. Фиксируется улавливатель при помощи винта самонарезающегося М8х25.

 

Улавливатель верхний

Улавливатель верхний SGN.00.500 предназначен для улавливания створки откатных ворот и исключения их перемещения в закрытом состоянии при воздействии ветровой нагрузки. Устанавливается на кронштейн FLGU.400.0904 или столб-притвор. Поставляется с комплектом метизов. Позволяет изготавливать откатные ворота из труб шириной от 40 до 95 мм.

 

Ролик поддерживающий 

Ролик поддерживающий SGN.00.720 предназначен для устранения возможности «заваливания» створки откатных ворот при воздействии ветровой нагрузки. Устанавливается на кронштейны SGN.01.717 SGN.01.718 SGN.01.719 SGN.02.717 SGN.02.718 SGN.02.719 SGN.03.717 SGN.03.718;

 

Кронштейны для поддерживающих роликов

 

Кронштейн SGN.01.718 применяется для установки роликов поддерживающих SGN.00.720 при монтаже откатных ворот. Крепится к столбу проема. Необходима установка двух кронштейнов. Позволяет изготовить из труб откатные ворота шириной от 40 до 60 мм.

 

 

Кронштейн SGN.02.718 применяется для установки роликов поддерживающих SGN.00.720 при монтаже откатных ворот. Крепится к столбу проема. Необходима установка двух кронштейнов. Позволяет изготовить из труб откатные ворота шириной от 40 до 95 мм.

 

Подставка

Подставка SGN.01.200 применяется для установки опор роликовых SGN.01.100, SGN.01.150; Крепление подставки к фундаменту осуществляется при помощи анкерных болтов либо сваркой к предварительно заложенному в фундамент элементу.

Подставка не входит в стандартный комплект.

 

Подставка SGN.02.200 применяется для установки опор роликовых SGN.02.100; SGN.02.150; Крепление подставки к фундаменту осуществляется при помощи анкерных болтов либо сваркой к предварительно заложенному в фундамент элементу.

Подставка не входит в стандартный комплект. 

 

Крышка (Заглушка)

Крышка (заглушка) SGN.01.600 выполняет декоративную роль, закрывает торец шины откатных ворот со стороны технологической части створки. Используются для изготовления откатных ворот на шине SG.01.x.

 

 

Крышка (заглушка) SGN. 02.600 выполняет декоративную роль, закрывает торец шины откатных ворот со стороны технологической части створки. Используются для изготовления ворот на шине SG.02.x.

 

Кронштейн

Кронштейн предназначен для установки улавливателя верхнего SGN.00.500; улавливателя нижнего SGN.01.420; SGN.02.420; Крепится к столбу проема.

Кронштейн не входит в стандартный комплект.

Рейка зубчатая

Стальная оцинкованная зубчатая рейка применяется для установки совместно совместно с шиной SGN.01.x и SGN.02.x. Предназначена для преобразования крутящего момента зубчатого колеса электропривода в линейное перемещение створки откатных самонесущих ворот. Крепится к шине откатных самонесущих ворот. В комплект рейки входят винты и прокладками для крепления.

Зубчатая рейка не входит в стандартный комплект. Поставляется кратно 1 метру. Заказывается из расчёта: ширина проёма + 1 метр.

Какие ворота выбрать?

Заказать комплект SGN

Рассчитать стоимость откатных ворот

Реквизиты ЗАО ЛЦ ЗАПАДНЫЕ ВОРОТА. Схема проезда и контактные данные ЛЦ ЗАПАДНЫЕ ВОРОТА

Реквизиты ЗАО ЛЦ ЗАПАДНЫЕ ВОРОТА. Схема проезда и контактные данные ЛЦ ЗАПАДНЫЕ ВОРОТА

Спасибо за обращение!

В ближайшее время с Вами свяжется наш специалист.

Спасибо за обращение!

В ближайшее время с Вами свяжется наш специалист.

Отправить запрос

Нажимая «отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных в соответствии с Правилами

Позвоните мне!

Нажимая «отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных в соответствии с Правилами

Схема проезда в наш Московский офис

Полное наименование организации

Закрытое акционерное общество «Логистический центр «ЗАПАДНЫЕ ВОРОТА»»

Сокращенное наименование организации

ЗАО «ЛЦ «ЗАПАДНЫЕ ВОРОТА»

Адрес местонахождения (Юридический адрес)

143203, Россия, Московская область, город Можайск, деревня Отяково.

Фактический адрес (Почтовый адрес)

143203, Россия, Московская область, город Можайск, деревня Отяково.

ОКВЭД

52.10 Деятельность по хранению и складированию

Банковские реквизиты

Филиал «Центральный» Банка ВТБ (ПАО) г. Москва
Расчетный счет № 40702810710250000256
Корреспондентский счет № 30101810145250000411 в Главном управлении Банка России по Центральному федеральному округу г. Москва
БИК 044525411

Дополнительные счета
Банк: Можайский филиал Банка «ВОЗРОЖДЕНИЕ» (ПАО)
р/с 40702810303000141527 БИК 044525181
к/с 30101810900000000181 (рубли РФ)

Генеральный директор

Пашков Геннадий Анатольевич

8 800 50 55 643
Обратный звонок

Понедельник — Пятница
С 09:00 до 18:00

Позвоните мне!

Нажимая «отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных в соответствии с Правилами

Как проехать в Московский офис

Посещая этот сайт, вы разрешаете нам для его полноценного функционирования собирать ваши метаданные (cookie, IP-адрес и местоположение)

×

Распашные утепленные ворота. Конструкция ворот, схема утепления распашных ворот

Распашные утепленные ворота обычно устанавливают в помещениях, где есть необходимость сбережения тепла и поддерживания стабильной температуры.

Утепленные ворота не требуют специального обслуживания, а утепленные створки надежно блокируют помещение от проникновения холода.

Помещенный между двумя слоями металла утеплительный материал (пенополистирол или минеральная вата), увеличивает способность удерживать и не пропускать тепло. Благодаря петлям на подшипниках они легко закрываются и их эксплуатационный срок увеличивается.

Эти ворота подходят как для монтажа в проемы больших и нестандартных размеров, так и в частных секторах. Технология изготовления утепленной конструкции ненамного отличается от обычной, она дополняется материалом для утепления и зашивкой ворот с внутренней стороны.

Преимущества утепленных распашных ворот.

Эти модели являются одними из самых актуальных на сегодняшний день, конструкция ворот отлично увеличивает защиту помещения от холода. При их изготовлении используется утеплитель, для того, что бы свести к минимуму потерю тепла.

Основные преимущества.

• Любые проемы.
  Створки ворот позволяют обеспечить перекрытие очень больших и нестандартных объемов, а установленная сверху специальная стяжка гарантирует прочность и долговечность.
• Многообразие вариантов.
  Применение различных эстетических украшений, любые варианты оформления, конфигурации и цвета.
• Простой быстрый монтаж.
  Установить ворота можно самостоятельно, главное выбрать необходимый вариант для монтажа.
• Удобство в эксплуатации.
  Створки открываются легко, бесшумно и безопасно за счет подшипников.
• Легкость обслуживания.
  Уход за воротами заключается в периодической смазке петель.
• Долгий срок службы.
  Изготовленные из прочного металла, они практически не ржавеют, а правильно подобранные и установленные створки со временем не провисают.
• Сохраняют тепло.
  Хорошее энергосбережение за счет использования качественных теплоизоляционных материалов.
• Установка автоматики.
  Для удобства и комфорта ворота можно сделать автоматическими с управлением дистанционным пультом.
• Доступная стоимость.
  Благодаря недорогим материалам, цена ворот вполне доступна.

Стандартное устройство состоит из 2-х створок, и открываются наружу почти на 180 градусов. Створки ворот крепятся к раме, просвет между ней и полотном плотно закрывается резиновой прокладкой и металлическим нащельником. С внутренней стороны ворот находятся вертикально расположенные ручки с захватом навстречу друг к другу. Изготавливаются створки из железного материала, толщиной от 2.0 мм, внутри расположена плита, изготовленная из минеральной ваты. Со стороны петель устройство оборудовано несъемными штырями.

Основные комплектации распашных ворот.

Конструкция ворот изготовлена из 2-х створок, которые открываются только наружу. Для дополнительного входа и практичности, в створке ворот устанавливается калитка, а для дополнительного освещения, верхняя часть устройства оформляется стеклопакетом.

Базовая комплектация.

• каркас;
• створки с обшивкой стальным листом;
• силовую балку и крепежный профиль;
• вертикальные засовы;
• утепление;
• покраска;
• страховочное устройство;
• верхние и нижние ловители и направляющие;
• роликовые опоры.

Комплектация ворот с калиткой.

• каркас;
• створки с обшивкой стальным листом;
• калитка с обшивкой стальным листом;
• утепление;
• покраска;
• страховочное устройство;
• вертикальные засовы;
• проушины под навесной замок;
• петли на опорном подшипнике.

Комплектация ворот с остеклением.

• каркас;
• створки с обшивкой стальным листом с рамкой для крепления стеклопакета;
• стеклопакет;
• утепление;
• покраска;
• страховочное устройство;
• вертикальные засовы;
• петли на опорном подшипнике.

Применение утепленных распашных ворот.

Благодаря своим качествам, утепленные конструкции отличаются высокой степенью защиты, обладают отличными теплоизоляционными свойствами и имеют длительный срок эксплуатации. За счет этого сфера их применения очень обширна:

• для строений сельскохозяйственной инфраструктуры;
• для самолетных ангаров;
• на стоянках для спецтранспорта;
• в складах и логистических терминалах;
• для промышленных и общественных объектов;
• в частном домовладении;
• в мастерских и гаражах.

Материалы для теплоизоляции распашных ворот.

Утеплители для ворот различаются методом монтажа, теплоизоляционными характеристиками, паропроницаемостью и различным сроком службы. Основные виды материалов для теплоизоляции:

Пенополиуретан.

Это пенный утеплитель, который напыляется на поверхность. При распылении образуется однородный слой, заполняющий щели и неровности. Материал не пропускает влагу и быстро высыхает. У него очень высокие теплозащитные свойства и длительный срок службы.

Минеральная вата.

Волокнистый утеплитель выпускается в виде плит и в рулонах. Он обладает очень низкой теплопроводностью, хорошо изолирует помещение и не горит.

Пенопласт.

Утеплитель не надо защищать специальными пленками от влаги, он очень устойчив к появлению плесени и грибков. Пенопласт дешевый и очень простой в монтаже, достаточно только зафиксировать его пластмассовыми дюбелями или приклеить к поверхности.

Конструкция утепленных распашных ворот.

Конструктивные особенности зависят от области применения ворот:

• Двустворчатые ворота сплошные и отдельным входом не оборудованы;
• Двустворчатые ворота c калиткой, в одну из створок встроен вход.
• Трехстворчатые ворота, где две створки для въезда автотранспорта, а одна для входа.

Конструкция ворот очень проста, однако, несмотря на это, она сочетает в себе такие качества, как надежность, прочность, универсальность и долговечность.

Состоит она из опорных столбов с петлями, на которые устанавливаются створки. Основным элементом устройства являются петли, выполняющие практически всю работу. Они надежно удерживают двери при нагрузках, и дают возможность створкам открываться на 180 градусов.

Количество петель зависит от веса, который придется выдерживать. Наличие подшипников обеспечивает облегчение хода и плавности конструкции, а также увеличивает срок ее эксплуатации. Петли очень уязвимы к износу, поэтому для прочности они обрабатываются специальными веществами, которые имеют антикоррозийные качества. За счет этого снижаются расходы на ремонтные работы, и увеличивается срок службы изделия.

Створки изделия состоят из рамы, на которую крепится полотно, изготовленное из индивидуального материала. Для ее приготовления применяется гнутый профиль, который сделан из холоднокатаной стали высокой прочности. Для каркаса применяются трубы, а внутри рамы нашиваются створки из различных материалов.

Для створок применяются листы из металла, профнастила, сэндвич-панели, поликарбоната, выбор материала зависит от многих факторов.

Для того, что бы створка ворот не примораживалась к раме, нижняя ее часть приподнята над конструкцией.

Предназначенная для закрытых помещений, конструкция должна быть укреплена слоем огнестойкого уплотнителя и предусмотрено наличие в ней системы «антипаника», которая обеспечивает свободный выход из помещения.

Дополнительными элементами, которые устанавливаются индивидуально, являются: засовы, упоры, калитка, запоры и электрическая автоматика, с помощью которой ворота открываются пультом управления.

Автоматические распашные утепленные ворота.

Конструкции автоматических ворот отличаются стороной открывания и устройством автоматики. Основным преимуществом является то, что автоматику можно приобрести отдельно и смонтировать на имеющиеся ворота. Необходимо прочно зафиксировать фиксаторы для привода, изготовленных в виде стальных пластин на поверхность. Один фиксатор крепится на полотно вертикально створке, другой, в этом же положении на столб или забор. Замеряется расстояние между пластинами, и определяется длина привода. При помощи безмена измеряется напряжение, происходящее при открывании, это необходимо для расчета мощности двигателя. После всех измерений покупается необходимый комплект автоматики, устанавливается и подключается.

Автоматические приводы делятся на несколько видов:

Линейный привод.

В основном используется данный тип автоматики. Он отличается небольшим размером, надежностью, приемлемой ценой и имеет эстетичный вид. Его работа основывается на принципе удлинения и укорачивания штока. Крутящийся момент от двигателя к створке передвигается при помощи линейного редуктора-ограничителя. Механизм оказывает торможение, работает плавно и без шума.

Рычажный привод.

Этот вид электрической автоматики оснащен двумя рычагами, и они связаны с шарниром. Так же части всего механизма соединены друг с другом втулками и болтами. Привод устанавливается на несущий столб. Действует он мягко и образовывает наименьшее трение механизма, раскрываются створки медленно и без шума. Привод выдерживает створку до 4-х метров, а ворота могут весить 800 кг. Его плюсы: для установки нет необходимости в сварке, легко монтируется, выполняет открывание ворот.

При выборе приводов важно не упустить из вида тип устройства. Имеются два основных варианта:

Гидравлический привод.

Он предназначен для тяжеловесных ворот, которые очень долго и часто используются. Предусмотрен для больших нагрузок и длительный срок работы. Режим его работы: смесь в гидроцилиндре, двигающая створку ворот, усиливается за счет реверсного гидравлического насоса двигателя. Гарантирована долговечность и полная защищенность механизма. В комплекте набора предусмотрены датчики, осуществляющие контроль за работой механизма.

Электромеханический привод.

Для его монтажа нет необходимости прибегать к дорогому оборудованию и за счет этого применяется довольно часто. Механизм предназначен как для рычажной, так и для линейной автоматики, его привод действует от электрической сети с напряжением 220 В. Это самый оптимальный вариант для ворот, которые не имеют большого веса.

Отделка распашных утепленных ворот.

Для выбора материала полотна створок ворот необходимо учитывать: климатические условия, внешние воздействия, возникновение коррозии, пожароопасность.

Среди отделочных материалов популярны:

Профнастил.

Современный оцинкованный облицовочный материал, который обладает отличными эксплуатационными данными. Очень устойчив к возникновению коррозии и перепаду температур, имеет ребра жесткости и надежное защитное покрытие. Он очень широко используется и имеет доступную цену, при этом имеет достаточно эстетичный вид.

Металлический лист.

Имеет простую и надежную конструкцию: усиленные петли гарантируют легкий и плавный ход ворот, сваренные из профильной трубы ребра жесткости делают ворота очень прочными. Материал практически не деформируется, выдерживает большой нагрев, его тяжело повредить.

Сайдинг.

Материал является одним из самых удобных вариантов, среди всех доступных. Цельность полотна обеспечивает отсутствие видимых заклепок и стыков между листами, позволяет скрыть каркас. Огнеупорность материала является дополнительной защитой от возгорания. За счет монолитности полотна, повышается уровень материала.

Сэндвич-панели.

Конструкция выполняется с использованием прочных алюминиевых профилей и оснащается при помощи качественных комплектующих. Для того, что бы придать воротам особую элегантность и привлекательность, используются сэндвич-панели, верхняя часть которых имитирует ценные и дорогие породы дерева.

Вагонка.

В виде отделочного материала для распашных ворот применяется вагонка из лиственницы. Для выдерживания древесиной климатических воздействий, она обрабатывается специальными пропитками премиального класса.

Аппликация.

Для придания воротам неповторимо изысканного внешнего вида используются металлические декоративные накладки, также аппликацию можно нанести методом лазерной резки. В зависимости от предпочтений владельца, это могут быть разнообразные рисунки, картинки или эмблемы.

Замки и автоматические приводы.

Конструкция ворот обычно изготавливается с замком, который находится внутри механизма. Закрытие ворот происходит с помощью вертикальных задвижек, которые оборудованы эсцентриком, за счет этого заслонка плотно прилегает к раме. Для полной гарантии большей безопасности, устанавливаются протекторы и подвесной замок.

При выборе необходимой автоматики учитываются параметры конструкции ворот. Для тех ворот, которые эксплуатируются довольно часто и имеют большие заслонки, понадобится более мощный механизм. Конечное закрытие ворот может происходить от 19 до 32 секунд, время зависит от типа и мощности привода.

Двери и ворота из стали на заказ в Ижевске

Ворота – это подвижная конструкция для контроля въезда на огражденную территорию или в помещение. В 21 веке инженерная мысль направлена на повышение комфорта, поэтому тяжелый физический труд поручается электроприводу. Вместо того, чтобы вручную открывать и закрывать ворота, лучше сделать их автоматическими – тогда не придется прикладывать усилий для их открытия и закрытия. 

Виды автоматических ворот:

Где купить автоматические ворота?

Строительно-торговая компания «Ижторгметалл» готова изготовить для вас на заказ автоматические ворота любого размера и для любого проема. Дачи, частный дом, коттеджи, гаражи, служебные помещения, охраняемые территории – далеко не весь список, где могут использоваться наши ворота. Их стоимость рассчитывается индивидуально и зависит от размеров и сложности готового изделия, качество же и надежность которого всегда одинаковы и не являются предметом выбора.

Большой ассортимент автоматики для ворот и шлагбаумы:

Стальные двери «Класс»:

Основные характеристики стальных дверей:

• по индивидуальным размерам
• от эконом- до премиум- класса
• сертификация на соответствие ГОСТ 31173-2016
• повышенная тепло- и звукоизоляция
• максимальная взломостойкость (>510кг/кв. м)

Современные замки и качественная фурнитура

Более 200 вариантов декора для любого интерьера

Противопожарные двери и люки EI 30, EI 60

Основные характеристики:

• Обязательная сертификация на соответствие Техническому регламенту ФЗ 123 от 22.07.2008г.
• По индивидуальным размерам
  • по высоте до 2 м 80 см,
  • по ширине до 2м,
• Цены от производителя,
• Лицензированный монтаж

Более подробная информация на нашем сайте.

GATE 2021 Образец экзамена (пересмотренный), Схема выставления оценок, Вес, Учебный план, Лучшие книги

Ques. Будут ли вопросы, заданные в GATE 2021, субъективными или объективными?

Отв. GATE 2021 будет содержать 3 типа вопросов: вопросы с несколькими вариантами ответов (MCQ), вопросы с множественным выбором (MSQ) и вопросы с числовым ответом (NAT). Помимо этого, вы также должны подготовиться к общим вопросам о способностях. Всего будет 65 вопросов, и у вас будет 3 часа времени на сдачу экзамена.Нет ограничений по времени, поэтому вы можете задавать вопросы в соответствии с вашими предпочтениями.

Вопрос. Могу ли я подать заявку на несколько статей GATE 2021?

Отв. Да. В GATE 2021 кандидат может подать не более 2 работ. В соответствии с вашей квалификационной степенью вы можете выбрать документы. Экзамен будет проводиться по 25 дисциплинам. В этом году руководство GATE добавило экологические и инженерные науки (ES) и гуманитарные и социальные науки (XH).

Вопрос.Какова стандартная продолжительность экзамена GATE 2021?

Отв. Срок, отведенный кандидатам на GATE 2021, составляет три часа. Ограничений по секциям не будет, поэтому все кандидаты могут задавать вопросы из любой секции по своему выбору. Общее количество вопросов будет 65, а общее количество баллов — 100.

Вопросов. GATE — это офлайн-экзамен или онлайн-экзамен?

Отв. GATE — это компьютерный, то есть онлайн-экзамен. Поскольку экзамен проводится в онлайн-режиме и в разных слотах, при подсчете баллов используется процесс нормализации.Это помогает поддерживать равенство.

Вопрос. Являются ли вопросы типа числового ответа (NAT) в GATE субъективным типом?

Отв. Нет, ответы на вопросы с числовым типом ответа (NAT) можно получить, выбрав число, составляющее окончательный ответ.

Вопрос. Где я могу выполнить черновую работу с вопросами о NAT во время экзамена?

Отв. Каждому кандидату будет предоставлено приложение для расчетов и черновой работы в экзаменационном центре GATE 2021 .

Вопрос.Обязательно ли отвечать на все вопросы в GATE 2021?

Отв. Да, все вопросы, задаваемые в GATE 2021, являются обязательными.

Вопрос. Получу ли я отрицательные оценки за неправильный ответ на вопрос в GATE 2021?

Отв. Да, кандидат получит отрицательную оценку за каждый неправильный ответ, в зависимости от типа вопроса.

Вопрос. Каковы общие отметки у GATE Paper?

Отв. Экзаменационные работы GATE оцениваются по 100 баллов каждая; состоящий из 1 марки, 1.Вопросы с 5 и 2 баллами.

Вопрос. Какие дополнительные типы вопросов задаются в GATE 2021?

Отв. Помимо вопросов по курсу, кандидатам GATE 2021 также задают вопросы, связанные с общими данными и общими способностями.

Вопрос. Сколько баллов выставляется за каждый вопрос в GATE?

Отв. ВОРОТА состоит из вопросов 1 балл и 2 балла.

Вопрос. Какова отрицательная оценка за неправильный ответ на вопрос с оценкой в ​​1 балл в GATE 2021?

Отв.Кандидат теряет баллов за каждый неправильный ответ на вопрос с 1 баллом в GATE 2021.

Вопрос. Сколько вопросов задают в GATE?

Отв. В одном вопроснике GATE содержится 65 вопросов. У вас будет 3 часа на сдачу экзамена. Также не будет секционного ограничения по времени.

Вопрос. Схожа ли отрицательная оценка для вопросов с 1 и 2 баллами в GATE?

Отв. Нет, отрицательные оценки за вопросы с 1 и 2 баллами в GATE 2021 не похожи.Отрицательная оценка за вопрос с 1 баллом — баллов, тогда как отрицательная оценка за вопрос с двумя баллами — ⅔ баллов.

Вопрос. Что общего во всех 27 экзаменационных документах GATE 2021?

Отв. Помимо продолжительности времени и других общих черт, еще одной общей чертой в статьях GATE 2021 являются вопросы по инженерной математике, которые задаются в каждой статье вместе с общим разделом о способностях.

Вопрос. Сколько баллов выставляется за вопросы по инженерной математике в GATE 2021?

Отв.В каждой работе GATE 15% оценок выставляется за вопросы по инженерной математике.

Вопрос. Какие вопросы в статьях GATE имеют 2 балла?

Отв. Вопрос № 26 к вопросу № 51 и вопрос № 61 к вопросу № 65 в документах GATE обычно имеет 2 балла.

Вопрос. Каковы вопросы с 1 баллом в шаблоне экзамена GATE?

Отв. Все вопросы между вопросом № 1 и № 25 и вопросом № 56 и № 60 — это вопросы с 1 баллом.

Вопрос. Только ли вопросы типа MCQ имеют 1 балл в статьях GATE?

Отв. Нет, в GATE 2021 есть вопросы с 1 баллом обоих типов, вопросы с несколькими вариантами ответов и вопросы с числовым ответом.

Ques. К какому типу вопросов в GATE присваиваются 2 балла?

Отв. 2 балла присваиваются некоторым вопросам с несколькими вариантами ответов, а также некоторым вопросам с числовым ответом в GATE.

Вопрос. Могу ли я использовать калькулятор во время GATE 2021?

Отв.Да, студенты могут использовать калькулятор во время GATE. Но студенты не могут приносить свои калькуляторы в экзаменационный зал. На их экранах будет доступен виртуальный калькулятор для выполнения расчетов.

Вопрос. Могу ли я использовать любой калькулятор для GATE 2021?

Отв. Нет, кандидаты не могут иметь при себе свои калькуляторы. На их экранах будет доступен виртуальный калькулятор для выполнения необходимых расчетов.

Вопрос. GATE 2021 проводится только в Индии?

Отв. Нет, GATE также проводится на международном уровне в таких странах, как ОАЭ, Бангладеш, Непал, Эфиопия и т. Д.Однако в 2021 году международные экзаменационные центры будут работать в зависимости от ситуации с OCVID-19.

Вопрос. Есть ли какие-либо отрицательные отметки за вопросы с числовым ответом GATE 2021?

Отв. Нет, в GATE нет отрицательной оценки за вопросы с числовым ответом.

Вопрос. Могут ли участвовать только студенты инженерного факультета GATE 2021?

Вопрос. Какой раздел GATE 2021 получил наивысшие оценки?

Отв. Техническая секция имеет наибольшее количество оценок i.е. От 72 до 85% оценок в GATE.

Вопрос. Вопросы, основанные на инженерной математике, задаются во всех статьях GATE 2021?

Отв. Нет, контрольные работы с кодами AR, CY, EY, GG, MA, PH и XL не содержат вопросов по инженерной математике.

Вопрос. Ставится ли фиксированное количество баллов за вопросы с числовым типом ответов в GATE?

Отв. Нет, не существует фиксированного количества баллов, выставляемых за вопросы типа числового ответа для GATE 2021, оно может варьироваться от 25 до 40 баллов.

Вопрос. Какие разделы кандидату необходимо изучить на BITSAT 2021?

Отв. Университетом определены 4 раздела, которые кандидат должен изучить для эффективной подготовки к экзамену:

Раздел	Предмет	Количество вопросов
I	Физика	40
II	Химия	40
III	A) -Знание английского языка B) -15	) Логическое обоснование 901) 10
IV	Биология / математика	45
	Всего	150

Вопрос. Каковы важные темы, на которые претендент должен ориентироваться на AC BITSAT 2021?

Отв. К важным темам, на которые кандидат должен ориентироваться при подготовке к BITSAT 2021, относятся следующие:

• Физика: Темы в разделе «Физика» включают единицы измерения и единицы измерения, вращательное движение, механику твердого тела, тепло и термодинамику, вращательное движение и т. Д.
• Химия : Различными темами будут атомная структура, состояния вещества, физическое и химическое равновесие, s & p-блочные элементы, принципы органической химии, углеводороды и многое другое.
• Математика: некоторые из тем будут посвящены алгебре, тригонометрии, трехмерной геометрии, дифференциальному исчислению, линейному программированию и т. Д.
• Уровень владения английским языком: словарный запас, грамматика, понимание прочитанного, аналогия и сочинение.
• Логическое рассуждение: словесное рассуждение — аналогия, классификация, отрывок для чтения и многие другие. Невербальные рассуждения — Матрица фигур, вырезка из бумаги, определение правил и многие другие темы.

Вопрос. Есть ли какие-нибудь важные книги по подготовке к BITSAT 2021?

Отв.Кандидату всегда рекомендуется придерживаться определенных справочников для эффективного планирования соответствующего экзамена.

Физика	Концепции физики Х. Verma Vol 1 и Vol 2 Arihant Physics, D. C. Pandey
Chemistry	Organic Chemistry by M.S. Неорганическая химия Чаухана Дж. Д. Ли
Математика	Класс XI и XII Р.D. Дифференциальное исчисление Шармы, Арихант
Английский язык и логические рассуждения	Знание английского языка и логическое рассуждение от экспертов Disha Полное руководство Пирсона по BITSAT 2021 (английский язык) от One Learn Education

Ques. Как я могу эффективно подготовиться к BITSAT 2021?

Отв. Кандидат, участвующий в BITSAT 2021, должен учитывать следующие моменты:

• Пройти полную программу и схему экзамена.
• Составьте надлежащий график экзаменов и строго следуйте ему.
• Решите вопрос предыдущего года и образец работы.
• Проанализируйте каждый тест, чтобы проверить свои способности.
• Оставьте как минимум одну неделю для проверки.

Вопрос. Будут ли на экзамене BITSAT 2021 вопросы числового типа?

Отв. BITSAT 2021 будет состоять из вопросов с несколькими вариантами ответов, в которых кандидат должен выбрать правильный ответ из предложенных вариантов. Университет строго следует этому образцу, и кандидату также рекомендуется поступать так же.

Схема экзамена GATE, программа для 25 предметов, схема выставления оценок

Программа общих навыков (общая для всех работ)
Вербальные способности	Числовые способности
Учебная программа по биомедицинской инженерии
Инженерная математика	Электрические схемы
Аналоговая и цифровая электроника	Сигналы и системы
Измерение и цифровая электроника	Датчики и биоинструменты
Система медицинской визуализации	Биоматериалы
Анатомия и физиология человека	Биомеханика
Учебный план по аэрокосмической технике
Ряд Фурье	Преобразование Лапласа
Численные методы решения линейных и нелинейных алгебраических уравнений	Численное интегрирование и дифференцирование.
Динамическая устойчивость	Угол Эйлера
Уравнения движения	Аэродинамические силы и моменты, производные устойчивости и управляемости
Разделение продольной и поперечно-направленной динамики	Продольные моды; поперечно-направленные режимы.
Переход на орбиту	В плоскости и вне плоскости
Элементарные представления о вязких течениях, включая пограничные слои	Испытания в аэродинамической трубе
Методы измерения и визуализации	Вибрация балок
Теория упругости	Уравнения равновесия и совместимости
Функция напряжения Эйри
Программа развития сельского хозяйства
Инженерная математика	Сельхозтехника
Farm Power	Техника охраны почв и воды
Техника ирригации и дренажа	Технологии переработки сельскохозяйственной продукции
Молочная и пищевая промышленность
Учебный план по архитектуре и планированию
Архитектура и дизайн	Строительные материалы, строительство и менеджмент
Здания и сооружения	Экологическое планирование и дизайн
Городской дизайн	Градостроительство и жилищное строительство
Методы планирования и управления	Услуги, инфраструктура и транспорт
Программа биотехнологии
Инженерная математика	Общая биотехнология
Технология рекомбинантной ДНК	Биотехнология растений и животных
Биотехнология и биотехнология процессов
Программа гражданского строительства
Инженерная математика	Строительное проектирование
Геотехническая инженерия	Инженерия водных ресурсов
Экологическая инженерия	Транспортное машиностроение
Геоматика
Программа химического машиностроения
Инженерная математика	Расчеты процессов и термодинамика
Механика жидкостей и механические операции	Теплопередача
Массообмен	Разработка химических реакций
Контрольно-измерительные приборы и управление процессами	Проектирование и экономика завода
Химическая технология
Учебный план по информатике и информационным технологиям
Инженерная математика	Цифровая логика
Компьютерная организация и архитектура	Программирование и структуры данных
Алгоритмы	Теория вычислений
Дизайн компилятора	Операционная система
Базы данных	Компьютерные сети
Учебная программа по химии
Физическая химия	Органическая химия
Неорганическая химия
Учебный план по электронике и коммуникациям
Инженерная математика	Сети, сигналы и системы
Электронные устройства	Аналоговые схемы
Цифровые схемы	Система управления
Связь	Электромагнетизм
Учебная программа по электротехнике
Инженерная математика	Электрические схемы
Электромагнитные поля	Сигналы и системы
Электрические машины	Энергетические системы
Системы управления	Электрические и электронные измерения
Аналоговая и цифровая электроника	Силовая электроника
Наука об окружающей среде и инженерия (новые)
Экологический менеджмент и устойчивое развитие	Химия окружающей среды
Экологическая микробиология	Водные ресурсы и экологическая гидравлика
Очистка и управление водными и сточными водами	Загрязнение воздуха и шум
Обращение с твердыми и опасными отходами	Глобальные и региональные экологические проблемы
Программа обучения экологии и эволюции
Экология	Evolution
Математика и количественная экология	Поведенческая экология
Программа по геологии и геофизике
Геология	Геофизика
Учебный план по приборостроению
Инженерная математика	Системы управления
Электрические цепи	Аналоговая и цифровая электроника
Сигналы и системы	Измерения
Датчики и промышленное оборудование	Связь и оптические приборы
Программа по математике
Исчисление	Линейная алгебра
Задний анализ	Комплексный анализ
Обыкновенные дифференциальные уравнения	Алгебра
Функциональный анализ	Численный анализ
Уравнения в частных производных	Топология
Линейное программирование
Учебная программа по машиностроению
Инженерная математика	Прикладная механика и дизайн
Механика жидкостей и теплотехника	Материаловедение, производство и промышленная инженерия
Учебная программа по горному делу
Инженерная математика	Изучение разработки шахт
Геомеханика и наземный контроль	Горные методы и оборудование
Поверхностная среда, вентиляция шахт и подземные опасности	Экономика горных работ, планирование горных работ, системная инженерия
Учебная программа по металлургическому машиностроению
Инженерная математика	Термодинамика и скорость процесса
Добывающая металлургия	Физическое металловедение
Механическая металлургия	Производственный процесс
Учебная программа по физике
Математическая физика	Классическая механика
Теория электромагнитного поля	Квантовая механика
Термодинамика и статистическая физика	Атомная и молекулярная физика
Физика твердого тела и электроника	Ядерная физика и физика элементарных частиц
Программа производственной и промышленной инженерии
Инженерная математика	Дженера Инжиниринг
Производственные процессы	Качество и надежность
Промышленное проектирование	Исследование операций и управление операциями
Учебная программа по текстильному машиностроению
Инженерная математика	Текстильная инженерия и наука о волокнах
XE-A (Учебная программа по инженерной математике)
Линейная алгебра	Исчисление
Векторное исчисление	Обыкновенные дифференциальные уравнения
Уравнения в частных производных	Комплексные переменные
Вероятность и статистика	Численные методы
XE-B (Учебная программа по гидравлическому механизму)
Свойства текучей среды и текучей среды	Кинематика
Интегральный анализ	Дифференциальный анализ
Невязкие потоки	Анализ размеров
Внутренние потоки	Уравнения пограничного слоя Прандтля
XE-C (Программа материаловедения)
Обработка материалов	Методы характеризации:
Структура и недостатки	Термодинамика и кинетика
Свойства материалов	Типы материалов
Ухудшение состояния окружающей среды	Элементы квантовой механики и математики
XE-E (Программа по термодинамике)
Основные понятия	Закон термодинамики
Термодинамический цикл	Термодинамические соотношения
Смеси идеальных газов
XE-F (Программа обучения полимеров и инженерии)
Химия высокополимеров	Характеристики полимеров
Синтез и свойства	Смеси и композиты полимерные
Полимерная технология	Реология полимера
Переработка полимеров	Полимерные испытания
XE-G (Программа пищевых технологий)
Пищевая химия и питание	Пищевая микробиология
Технологии пищевых продуктов	Пищевая промышленность
XL-P (Учебная программа по химии)
Структура и периодичность атома	Структура и склеивание
Элементы блока s, p и d	Химическое равновесие
Электрохимия	Кинетика реакций
Термодинамика	Взаимосвязи между структурой и реакционной способностью и механизмы органических реакций
XL-R (Учебная программа по ботанике)
Plant Systematics	Анатомия растений
Морфогенез и развитие	Физиология и биохимия
Генетика	Селекция растений и генетическая модификация
Экономическая ботаника	Патология растений
Экология и окружающая среда	–
XL-S (Программа микробиологии)
Историческая перспектива	Методы в микробиологии
Таксономия и разнообразие микробов	Прокариотические и эукариотические клетки: структура и функции
Рост микроорганизмов	Борьба с микроорганизмами
Микробный метаболизм	Микробные болезни и взаимодействие «хозяин-патоген»
Химиотерапия / антибиотики	Микробная генетика
Экология микробов
XL-T (Программа зоологии)
Животный мир	Генетика
Evolution	Биохимия и молекулярная биология
Клеточная биология	Экспрессия генов у эукариот
Анатомия и физиология животных	Паразитология и иммунология
Биология развития	Экология
Поведение животных
XH-B1 (рассуждение и понимание) (новый)
Понимание прочитанного	Выражение
Аналитические рассуждения	Логические рассуждения
XH-C1 (Экономика) (Новый)
Статистика, эконометрика и математическая экономика	Микроэкономика
Макроэкономика	Международная экономика
Государственная экономика	Экономика развития
Индийская экономика	–
XH-C3 (лингвистика) (новый)
Типология ареалов, универсалии, кросс-лингвистические особенности	Язык и лингвистика
Уровни грамматики и грамматического анализа	Историческая лингвистика
Социолингвистика	Методы анализа
Прикладная лингвистика	–
XH-C4 (Философия) (Новый)
Классическая индийская философия	Современная индийская философия
Классическая и современная западная философия	Современная западная философия
XH-C5 (Психология) (Новый)
Восприятие, обучение, память и забывание	Познание: мышление, интеллект и язык
Методы исследования и статистика	Психометрия
Биологические и эволюционные основы поведения	Личность
Приложения психологии	Мотивация, эмоции, стресс и преодоление
Социальная психология	Развитие на протяжении жизни
XH-C6 (Социология) (Новый)
Семья, брак и родство	Социологическая теория
Методология и методы исследования	Социологические концепции
Аграрная социология и преобразование села	Индийское общество / Социология Индии
Социальные движения	Социология развития

Право на участие в GATE 2021, программа, план экзамена, окончание и т.

Д.

Структура вопросов: —

GATE 2021 может содержать вопросы ТРИ разных типов во всех статьях:

(i) Вопросы с несколькими вариантами ответов (MCQ), по каждому из которых стоит 1 или 2 балла, во всех статьях и разделах. Эти вопросы носят объективный характер, и на каждый из них будет предложено четыре варианта ответа, из которых ТОЛЬКО ОДИН правильный.
Примечание: — За неправильный ответ, выбранный в MCQ, будет отрицательная оценка. Для MCQ с 1 баллом, 1/3 балла и для MCQ с 2 баллами будут вычтены 2/3 балла за неправильный ответ.

(ii) Вопросы с множественным выбором (MSQ) с 1 или 2 отметками во всех статьях и разделах. Эти вопросы являются объективными по своей природе, и на каждый из них можно будет выбрать из четырех ответов, из которых ОДИН или БОЛЕЕ ОДНОГО варианта (ов) являются правильными.
Примечание. НЕТ отрицательной отметки за неправильный ответ в вопросах MSQ. Тем не менее, нет частичной заслуги в выборе частично правильных комбинаций вариантов или любого единственного неправильного выбора.

(iii) Тип числового ответа (NAT) Вопросы, на которые ставится 1 или 2 балла в большинстве статей и разделов.На эти вопросы ответом является действительное число со знаком, которое кандидат должен ввести с виртуальной цифровой клавиатуры на мониторе (клавиатура компьютера будет отключена). Для этих типов вопросов не будет отображаться никаких вариантов. Ответ может быть числом, например 10 или -10 (только целое число). Ответ также может быть в десятичном формате, например 10,1 (один десятичный знак), 10.01 (два десятичных знака) или -10,001 (три десятичных знака). Эти вопросы будут указаны с указанием того, до каких десятичных знаков кандидаты должны представить ответ.Кроме того, для некоторых проблем типа NAT при оценке этих вопросов будет рассматриваться соответствующий диапазон, чтобы кандидат не был чрезмерно наказан из-за обычных ошибок округления. Кандидатам рекомендуется выполнять округление в конце расчета (а не между этапами). Везде, где это необходимо и возможно, лучше давать ответы NAT максимум с тремя десятичными знаками.)
Примечание: НЕТ отрицательной отметки за неправильный ответ в вопросах NAT. Также, в вопросах NAT НЕТ частичной оценки.

Дизайн вопросов

Вопросы в статье могут быть предназначены для проверки следующих способностей:

A. Отзыв:

Они основаны на фактах, принципах, формулах или законах дисциплины. Ожидается, что кандидат сможет получить ответ либо непосредственно из своей памяти, либо, самое большее, с помощью однострочных вычислений.

B. Понимание:

Эти вопросы проверят понимание кандидатом основ своей области, требуя от него / нее сделать простые выводы из фундаментальных идей.

C. Заявка:

Ожидается, что в этих вопросах кандидат применяет свои знания либо посредством вычислений, либо посредством логических рассуждений.

D. Анализ и синтез:

Это могут быть связанные вопросы, где требуется ответ на первый вопрос пары, чтобы ответить на следующий вопрос. Или это могут быть общие вопросы с данными, в которых два вопроса используют одни и те же данные, но могут быть решены независимо друг от друга.

E. Общие вопросы по данным:

Несколько вопросов могут быть связаны с общей проблемой данных, отрывком и т.п. Из данной проблемы общих данных можно составить два или три вопроса. Каждый вопрос является независимым, и его решение можно получить непосредственно из приведенных выше данных / отрывка проблемы. (Для решения следующего вопроса ответ на предыдущий вопрос не требуется). За каждый вопрос в этой группе будет выставлено два балла.

F. Связанные вопросы с ответами:

Эти вопросы относятся к типу решения проблем.За формулировкой проблемы следуют два вопроса, основанные на постановке задачи. Эти два вопроса составлены таким образом, что решение второго вопроса зависит от ответа на первый. Другими словами, первый ответ — это промежуточный шаг в выработке второго ответа. Каждый вопрос в таких связанных ответах получает две отметки.

Схема экзамена GATE 2021 — Мудрость по предмету, документы, вес, отметки, отрицательная оценка

Подробная схема экзамена GATE 2021

Схема экзамена GATE для AE, AG, BT, CE, CH, CS, EC, EE, IN, Документы ME, MN, MT, PE, PI, TF и ​​XE:

• Для всех упомянутых выше документов вопросы по инженерной математике являются обязательными и составляют 15% от общего веса.

• Вопросы, основанные на конкретном предмете / дисциплине экзамена, имеют 70% общего веса (70 баллов).

• Оставшаяся часть вопросника GATE включает носителей вопросов общих способностей 15% от общего количества оценок

Шаблон экзамена GATE для AR, CY, EY, GG, MA, PH, ST и XL Papers:

• Раздел General Aptitude несет 15% от общего количества оценок.

• Оставшиеся 85% от общего количества оценок будут основаны на теме статьи.

• В этих статьях нет вопросов из инженерной математики.

Образец экзамена GATE для GG Paper:

• GA — раздел General Aptitude, содержащий 10 вопросов на общую сумму 15 баллов.

• Помимо раздела General Aptitude (GA), вопросник GG состоит из двух частей: части A и части B.

• Часть A является общей для всех кандидатов.

• Часть B состоит из двух разделов:

  • Раздел 1 (Геология)

  • Раздел 2 (Геофизика).

• Кандидатам необходимо будет попытаться ответить на вопросы в Части A, а в Части B — либо в Разделе 1, либо в Разделе 2.

Распределение вопросов и оценок описано ниже:

• Часть A состоит из 25 вопросов (MCQ) и содержит 1 балл за каждый вопрос, так что всего 25 баллов (некоторые вопросы могут быть вопросами с числовым ответом)

• Часть B (Раздел 1 и Раздел 2) состоит из 30 вопросов (Тип MCQ) 2 балла за каждый вопрос, итого 60 баллов (некоторые вопросы могут быть вопросами с числовым ответом).

Шаблон экзамена GATE для бумаги XE:

Разделы бумаги XE	Коды
Инженерная математика (обязательно)	A	A 901 разделы
Механика жидкости	B
Материаловедение	C
Механика твердого тела	D
Термодинамика	E		9012
Food Technology	G
Наука об атмосфере и океане	H

• В документе GATE XE необходимо ответить на следующие разделы:

• раздел GA — General Apt Проведено 10 вопросов на общую сумму 15 баллов.

• Раздел A — Инженерная математика (обязательный)

• Любые два раздела XE от B до H (как указано в таблице кодов на бумаге).

• Кандидаты могут выбрать два раздела от B до H во время экзамена после просмотра вопросов. Одновременно можно ответить только на два необязательных раздела.

• Помимо раздела General Aptitude, XE paper содержит в общей сложности 33 вопроса на 50 баллов.

Распределение вопросов и оценок описано ниже:

Шаблон экзамена GATE для бумаги XL:

Химия (Обязательный)

XL Разделы бумаги	Коды
P
Любые 2 дополнительных раздела
Биохимия	Q
Ботаника	R
				Микробиология	Микробиология
Food Technology	U

• В документе GATE XL необходимо ответить на следующие разделы:

• GA — Раздел General Aptitude, содержащий 10 вопросов на общую сумму 15 баллов.с.

• Раздел P– Химия (обязательный)

• Любые два из XL разделов Q – U (как указано в таблице кодов на бумаге).

• Кандидаты могут выбрать два раздела от B до H во время экзамена после просмотра вопросов. Одновременно можно ответить только на два необязательных раздела.

• Помимо раздела General Aptitude, XL paper содержит всего 35 вопросов на 55 баллов.

• Распределение вопросов и оценок описано ниже:

• Раздел P Химия:

  • В этом разделе 15 вопросов, в общей сложности 25 оценок, из которых

  • 5 вопросов по 1 баллу (промежуточный итог 5 баллов)

  • 10 вопросов с 2 баллами каждый (промежуточный итог 20 баллов).

  • Некоторые вопросы могут иметь числовой тип ответа.

• Любые два из разделов XL от Q до U:

  • Бумага XL из раздела от Q до U содержит 20 вопросов, в общей сложности 30 баллов, из которых

  • 10 вопросов с 1 баллом каждый (промежуточный итог 10 баллов)

  • 10 вопросов по 2 балла (промежуточный итог 20 баллов).

  • Некоторые вопросы могут иметь числовой тип ответа.

GATE Основы аннотаций | MPQA

В GATE загрузите документ: sample-documents / examples-untagged.xml.

Хотя можно загрузить простой текстовый файл или URL-адрес веб-документа и просто начать аннотировать, небольшая предварительная обработка может немного упростить процесс аннотации (см. XXXX, чтобы узнать, как мы предварительно обрабатываем документ в GATE).

• Некоторые аннотации по умолчанию

  Во время предварительной обработки к документу добавляется ряд аннотаций.

  • Откройте фреймы «Наборы аннотаций» и «Список аннотаций».

  • Выберите аннотации «агента» для просмотра. Два аннотации агента нулевой длины для агентов с id = implicit и id = w (писатель) будет указан. Поскольку это аннотации нулевой длины, они не будут видны в тексте документа.

  • Выберите для просмотра аннотации «объективная речь» и «предложение».В начале каждого предложения подразумевается неявная «объективная речь» нулевой длины. для писателя добавлена ​​аннотация. Во время аннотации аннотацию «объективная речь» можно легко изменить на «прямо-субъективную» аннотацию, если аннотатор считает, что это правильная аннотация.

  • Есть также «разделенные» аннотации, добавленные разделителем предложений GATE.

  Обратите внимание, что аннотация «прямая субъективность» или «выразительная субъективность» типы еще не перечислены во фрейме «Наборы аннотаций».Это потому что там в настоящее время в документе нет аннотаций этих типов. Когда первый к документу добавляется аннотация прямо-субъективная или выразительно-субъективная, затем тип аннотации будет добавлен во фрейм «Наборы аннотаций».

• Создание аннотации

  1. Во-первых, во фрейме Annotation Sets щелкните MPQA. Это будет выберите набор аннотаций MPQA и убедитесь, что любые аннотации, которые вы create будет правильно указан в этом наборе .

  2. В тексте документа выделите фрагмент текста, который вы хотите аннотировать. Убедитесь, что вы случайно НЕ добавили пробелы в начало или конец аннотации текста.

     ПРИМЕР: «Китай» в предложении,
     « Китай заявил во вторник Государственный департамент США сообщение об обвинении Пекина в подавлении свободы вероисповедания было полным лжи и призвал Вашингтон не придерживаться двойных стандартов в войне терроризм.»

  3. Откроется диалоговое окно редактора аннотаций. (Это может занять несколько секунд.) В этом окне выберите тип аннотации. В нашем примере мы хочу выбрать «агент». Диалоговое окно редактора аннотаций изменится. для отображения доступных функций (атрибутов) для типа «агент». Кроме того, новая аннотация будет указана во фрейме списка аннотаций, и цвет выделенного диапазона изменится на цвет «агента» и начинаем мигать.

  4. Начните заполнение атрибутов рамки аннотации вы работаете. В нашем примере введите «china» в поле id. и «w, china» в поле вложенного источника.

• Сохранение документа

  Сохраняйте документ достаточно часто, когда вы комментируете. GATE не имеет функция автосохранения!
  1. Щелкните правой кнопкой мыши имя документа в разделе «Языковые ресурсы».
     ИЛИ
     щелкните правой кнопкой мыши соответствующую вкладку в списке открытых документов в верх средней рамки.
  2. Выберите: Сохранить как XML.
  3. Введите имя файла, которое вы хотите ему присвоить. Пример: hr7-taw.xml. Убедитесь, что он был сохранен с расширением .xml.
  4. Когда вы полностью закончили с аннотациями и сохранили документ в последний раз, вы можете попробовать закрыть документ в GATE (щелкните правой кнопкой мыши -> Закрыть) и повторно открыв это, чтобы проверить, что все ваши аннотации были сохранены правильно.
  5. Пожалуйста, переименуйте ваш заполненный окончательный аннотированный документ. Пока не указано иное, используйте исходное имя документа, расширенное вашим логин (или инициалы) и слово «final»:
     например CWY098.josefr.final.xml
  Наконец, перейдите на вкладку «Сообщения», чтобы узнать, не возникла ли ошибка. сохранение файла.

• Другие рекомендации

  В контексте группы Питта нужно быть осторожным, когда выполнение аннотаций в GATE заключается в том, что вы можете щелкнуть по тексту область и введите символы или пробел.

  Это вызывает проблемы, когда другие люди комментируют одни и те же документы. параллельно, и нужно выполнить автоматическое сравнение две аннотации. Это также может вызвать проблемы, если дополнительные материал вводится после файла gate_default, в котором хранится токенизация для xml-документа создана и не обновляется.

  Результат: будьте очень, очень осторожны, чтобы не изменить оригинал. текст!

---

аннотационные инструкции Дж.Руппенхофер

Секториальная схема затворного полевого транзистора с улучшенными электрическими характеристиками.

Mohamamd Karbalaei родился в Кашане, Иран. Его национальность из Афганистана. Он получил степень магистра наук. получил степень в области электроники в Кашанском университете в 2015 году, а затем получил степень доктора философии. Стипендия присуждается талантливым иностранным студентам из Министерства исследований и технологий Ирана для продолжения учебы. В настоящее время он является доктором наук.D. студент кафедры наноэлектроники в Институте нанонауки и нанотехнологий Университета Кашан, Иран. Его области исследований — физика полупроводников и моделирование наноразмерных устройств, включая КНИ МОП-транзисторы, TFET и графеновые полевые транзисторы. Он опубликовал несколько индексируемых журнальных статей.

Дарьюш Дидебан в настоящее время является доцентом кафедры наноэлектроники на факультете электротехники и вычислительной техники Кашанского университета. Он получил степень магистра наук. и к.т.н. Имеет дипломы Технологического университета Шарифа, Иран, и Университета Гласкоу, Великобритания, в области электроники.Его области исследований — моделирование устройств, компактное моделирование, новые двумерные устройства и статистическая изменчивость.

Хади Хейдари (доктор философии, SMIEEE) — преподаватель инженерной школы и руководитель лаборатории микроэлектроники (meLAB) в Университете Глазго. Он получил докторскую степень в области микроэлектроники в Университете Павии (Италия) в 2015 году, где работал над интегрированными КМОП-магнитными сенсорными микросистемами. Он получил докторскую степень в Университете Глазго, прежде чем поступить в Глазго-колледж UESTC в 2016 году.Д-р Хейдари является членом Совета управляющих IEEE Circuits and Systems Society (BoG), Административного комитета IEEE Sensors Council (AdCom), представителя молодых специалистов IEEE Sensors Council и старшего члена IEEE. Он является членом редакционной коллегии журнала Microelectronics Journal, приглашенным редактором журнала IEEE Sensors и приглашенным младшим редактором журнала IEEE Journal of Electromagnetics, RF и Microwaves in Medicine and Biology и IEEE Access. Доктор Хейдари является автором или соавтором более 80 рецензируемых публикаций в международных журналах или материалах конференций, а также выступает в качестве рецензента для нескольких журналов и конференций.Он получил несколько наград за лучшую научную работу на международных конференциях IEEE, включая ISCAS’14, PRIME’14, ISSCC’16, а также стипендию для путешествий от IEEE NGCAS’17. Он был научным сотрудником Университета Макао, Китай, и Университета Макгилла, Канада.

© 2020 Авторы. Опубликовано Elsevier B.V. от имени инженерного факультета Университета Айн-Шамс.

Интеграция высокотехнологичных / металлических ворот: первые или последние?

ОБЗОР для руководителей Внедрение новых материалов для стека затворов (высокий k / металлический затвор) позволило возобновить действие закона Мура в узлах 45/32 нм, когда обычные затворы из поли / SiON закончились.Однако недавно были предложены различные схемы интеграции этих новых материалов, которые традиционно называются «воротами первыми» и «последними». Какие возможности интеграции и какие проблемы связаны с интеграцией таких новых материалов? Каковы основные электрические преимущества HK / MG? Какова область применения каждого из двух подходов. В этой статье обсуждаются эти вопросы и другие проблемы, которые выходят на первый план с этой революционной технологией.

Thomas Y.Hoffmann , Imec, Лёвен, Бельгия

С момента появления МОП-устройств более 40 лет назад SiO2 служил предпочтительным изолятором затвора транзистора. Толщина электрического оксида (EOT) масштабировалась со скоростью ~ 0,7x на поколение примерно до узла 130 нм, но масштабирование замедлялось в узлах 90 нм и 65 нм, поскольку SiO2 исчерпывал атомы, а мощность утечки затвора ограничивала дальнейшее масштабирование, как показано на Рис. 1 [1].

Рисунок 1. Технологическая дорожная карта Intel, показывающая, как переход от Poly / SiON к металлическому затвору / high-k (MG / HK) позволил возобновить масштабирование электрического Tox, сдерживая утечку затвора [1].

Технология HK / MG обещает сделать возможным обычное масштабирование транзистора, а также снижение мощности в режиме ожидания за счет уменьшения утечки затвора. Взяв в качестве примера дорожную карту технологии Intel ( рис. 1, ), переключение на HK / MG на 45-нм узле позволило возобновить масштабирование диэлектрической проницаемости электрического затвора, одновременно уменьшив утечку затвора более чем в 10 раз.

На уровне устройств повышение производительности, достигаемое за счет внедрения HK / MG, является двукратным. Рассматривая уравнение в приближении длинного канала (1), ток возбуждения увеличивается с HK / MG за счет более высокой емкости затвора, в результате более высокой диэлектрической проницаемости ε0 диэлектрика с высоким k по сравнению с SiO2, а также масштабирования Tinv благодаря металлическому затвору. (подавление истощения поли).

, где A — площадь конденсатора (WxL), ε ₀ диэлектрическая проницаемость в вакууме.

Однако на производительность при высокой рабочей тактовой частоте может отрицательно повлиять увеличенная емкость затвора, даже если ток возбуждения устройства увеличится. Чтобы минимизировать этот штраф при использовании HK / MG, необходимо одновременно уменьшить длину затвора транзистора. Как показано на рис. 2 [2], это (минимизация штрафа) может быть легко достигнуто благодаря превосходному электростатическому контролю HK / MG по сравнению с Poly / SiON.

Рисунок 2. Электрическое масштабирование Tox HK / MG по сравнению с Poly / SiON обеспечивает более высокий ток возбуждения, а также масштабирование Lgate благодаря улучшенному электростатическому контролю [2].

Что касается вариантов материалов для high-k, обширные исследования проводились более 10 лет. Принимая во внимание множество требований к диэлектрику затвора (например, высота барьера, диэлектрическая проницаемость, термическая стабильность, качество интерфейса, совместимость электродов затвора), произошла конвергенция к пленкам с высоким k на основе Hf (например, HfSiO и HfO ₂ ). .Однако на самом деле это не так для металлического электрода, определенно из-за большой чувствительности различных параметров обработки к конечной эффективной работе выхода стопки затворов. Среди многих кандидатов азотированные металлы со средним зазором, такие как TiN или TaN, возможно, являются одними из наиболее распространенных материалов, рассматриваемых сегодня.

Возможные схемы интеграции для HK / MG

В первые дни поиска решения HK / MG CMOS был предложен довольно прорывной подход, основанный на полном силицировании поликремниевого электрода затвора, названный FUSI [3].От этого подхода, поначалу очень многообещающего из-за простоты интеграции, позже отказались из-за сложности управления фазой силицида для получения устройств с низким V _T .

На сегодняшний день остаются два основных варианта интеграции: «сначала затвор» (часто называемый MIPS, поликремний с металлической вставкой) и «последним затвором» (также называемый RMG, сменный металлический затвор). Термины «первый» и «последний» относятся к тому, наносится ли металлический электрод до или после высокотемпературного активационного отжига (ов) потока.

Рис. 3. Спад эффективной рабочей функции (EWF) к середине зазора при тонком EOT для MIPS, независимо от толщины металлического затвора (2 нм или 10 нм).

Подход «сначала ворота» был первоначально разработан Sematech и возглавляемым IBM Fishkill Alliance. Он основан на очень тонких покрывающих слоях — Al ₂ O ₃ для PMOS и LaO _x для NMOS-транзисторов — для создания диполей, которые устанавливают пороговое напряжение устройства.Однако сообщалось о тепловой нестабильности в устройствах HK / MG, которая может привести к сдвигам порогового напряжения и повторному росту в стеке затворов. Эта проблема особенно остро стоит для pMOS при масштабированном EOT, как показано на Рис. 3 [4]. При таком агрессивном EOT ясно, что RMG может обеспечить значительно более высокий EWF (что означает более низкий pMOS V _T ), чем MIPS. Обратите внимание, что эта конкретная проблема существенно препятствует использованию функции «сначала шлюз» для высокопроизводительных приложений. Для приложений с низким энергопотреблением (LSTP) или DRAM, где требования V _{, T} и EOT обычно более мягкие, метод «первым затвором» остается очень жизнеспособным и многообещающим вариантом для интеграции экономичного решения HK / MG CMOS [5,6].

Тем не менее, значительные усилия по включению функции «первым шлюзом» для высокопроизводительных приложений все еще продолжаются. Одно из многообещающих решений проблемы высокого V _T заключается в формировании путем эпитаксии канала SiGe для устройств pMOS [7]. Этот подход по сути снижает V _T (за счет смещения валентной зоны) и дает дополнительное преимущество в виде более высокой подвижности дырок, чем в Si. Однако дополнительные затраты, связанные с этой эпитаксией, как правило, сводят на нет преимущество в сложности процесса, связанное с первым затвором над последним затвором.

Второй способ интеграции HK / MG с так называемым процессом затворной обработки был первоначально разработан Intel, реализовав его в своей 45-нанометровой технологии [1]. В этой итерации гафниевый диэлектрик наносился на ранней стадии в потоке, прежде чем был создан жертвенный поликремний затвор. После циклов высокотемпературного S-D и силицидного отжига фиктивный затвор был удален, а металлические электроды затвора были нанесены последними. Совсем недавно Intel представила в своей 32-нанометровой технологии несколько иную схему, в которой high-k наносится в последнюю очередь, прямо перед металлическими электродами затвора и после полного удаления фиктивных затворов.Одним из возможных преимуществ этого нового подхода является повышение надежности и мобильности устройства при масштабированном EOT, что может быть значительно ухудшено, когда диэлектрик с высоким k прошел через высокие тепловые ступени потока, как и в случае подхода с первым затвором. [8].

Недавно UMC раскрыла гибридный подход к интеграции HK / MG, объединяющий как шлюз первым (для nMOS), так и последним шлюзом (для pMOS) [9]. Это позволяет решить одну из основных проблем, связанных с первым затвором, при нацеливании на высокопроизводительные приложения, а именно высокую pMOS V _T при масштабированном EOT, избегая при этом полной и сложной интеграции CMOS с последующим затвором, которая требует нескольких шагов CMP. и двойное осаждение металлических затворов.Подобно 45-нм техпроцессу Intel, этот подход основан на первой схеме с высоким k, поэтому, если не будет достигнут значительный прогресс в улучшении термостабильности слоев с высоким k, масштабируемость этого подхода для узлов с размером менее 32 нм может быть трудно. На этих продвинутых узлах надежность и мобильность обычно быстро ухудшаются в целевом EOT.

Одной из проблем, которые часто вызывают в связи с последним входом, является сложность его процесса. Как описано Intel [10], формирование двойных металлических ворот включало некоторые важные этапы CMP.Для поддержания достаточного окна процесса такой подход требует более строгих правил проектирования (RDR), таких как подход одномерного проектирования (когда все ворота выровнены в заданном направлении). Однако в узле 28 нм, а тем более узле 22 нм, это ограничение компоновки в любом случае становится основным из-за ограничений литографии. Следовательно, более высокая гибкость конструкции gate-first может исчезнуть для будущих узлов, поскольку потребуется внедрять все больше и больше RDR.

Если смотреть за пределы 22-нм узла, сама архитектура устройства может измениться с обычной планарной на многозатворную (например, FinFET или Trigate), чтобы еще больше улучшить электростатический контроль устройства.Эти 3D-устройства могут существенно повлиять на стратегию интеграции HK / MG. Несомненно, подход, основанный на CMP (как в сегодняшнем потоке RMG), станет чрезвычайно сложным, если не невозможным, что сделает схему «первым шлюзом» единственным решением.

Рис. 4. Плюсы и минусы различных вариантов интеграции HK / MG. FUSI заброшен, сегодня активно развиваются только gate-first (также обычно называемые MIPS) или gate-last (или RMG).

Заключение

Сегодня активно разрабатываются два основных пути интеграции высоких и металлических вентилей, необходимых для непрерывного масштабирования производительности. У так называемых подходов «первым затвором» и «последним затвором» есть как плюсы, так и минусы, как показано на рис. 4. Для приложений с низким энергопотреблением (которые не требуют агрессивного EOT и сверхнизкого V _T ), можно утверждать, что самый подходящий выбор. Однако для высокопроизводительных приложений необходимо рассмотреть комплексные решения (например, канал SiGe для pMOS), чтобы удовлетворить требования к производительности с процессом «сначала затвор».В заключение, весьма вероятно, что мы увидим компании, применяющие разные стратегии интеграции HK / MG, в зависимости от их портфеля продуктов.

Список литературы

1. К. Мистри и др., «45-нанометровая логическая технология с транзисторами с металлическим затвором High-k +, напряженным кремнием, 9 слоями межсоединений из меди, 193-нанометровым сухим рисунком и 100% бессвинцовой упаковкой», IEDM Tech. Dig., С. 247-250, 2007.

2. К. Хенсон и др., «Масштабирование длины затвора и высокие токи возбуждения, обеспечиваемые для высокопроизводительной технологии SOI с использованием затвора High-k / Metal», IEDM Tech.Dig., С. 645-648, 2008.

.

3. П. Ранаде и др., «Высокопроизводительные 35-нм КМОП-транзисторы LGATE с металлическим затвором NiSi (FUSI), одноосно-напряженными кремниевыми каналами и 1,2-нм оксидом затвора», IEDM Tech. Dig., Стр. 217, 2005.

4. Л. Рагнарссон и др., «Высокопроизводительные CMOS-схемы со сверхнизким EOT (5 Å), обеспечиваемые оптимизацией затворных электродов», IEDM Tech. Dig., 2009. С. 663-666.

.

5. Ф. Арно и др., «32-нанометровая универсальная массовая CMOS-технология для высокопроизводительных приложений при низком напряжении», IEDM Tech.Dig., С. 633-636, 2008.

.

6. T. Tomimatsu и др., «Экономичная 28-нм LSTP CMOS с использованием технологии Gate-First Metal Gate / High-k», VLSI Tech. Dig., 2009. С. 36-37.

.

7. Х. Р. Харрис и др., «ТН с низкими PMOS-схемами и высокочастотными / металлическими вентилями, представленные в схеме интеграции двухканальной CMOS», VLSI Tech. Dig., 2007. С. 154-155.

.

8. К. Чой и др., «Чрезвычайно масштабируемый стек с технологией High-k / Metal Gate с EOT 0,55 нм с использованием новых методов очистки межфазного слоя для 22-нм технологического узла и за его пределами», VLSI Tech.Dig., Pp. 138-139, 2009.

.

9. К. Лай и др., «Новый гибридный процесс High-k / Metal Gate для высокопроизводительных КМОП-транзисторов с длиной волны 28 нм», IEDM Tech. Dig., 2009. С. 655-658.

.

10. C. Auth et al., «45-нм High-k + Metal Gate Transistors Strain-Enhancement Transistors», VLSI Tech. Dig., 2008. С. 128-129.

.

Биография

Thomas Y. Hoffmann получил степень доктора философии в 2000 году (Университет Лилля, Франция) и является директором исследовательской программы FEOL LOGICDRAM в IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Бельгия; тел.